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台积电晶圆代工领先英特尔1年!明后年独霸10、7纳米【bet体育365官网】

本文摘要:台积电、英特尔在晶圆代工领域正面决斗,英特尔在8月宣告跟设计手机、汽车芯片的安谋(ARMHoldings)定案代工协议,看起来迈进一大步,但分析人士指出,英特尔整体晶圆代工能力仍领先台积电一年之幸,短期内无法对台积电导致实质威胁。 美系外资公开发表研究报告认为,台积电在技术、处置ARM制程的能力、晶圆生产能力、成本结构、生产弹性、资产负债表和整体价值方面,都比英特尔远比强势。

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台积电、英特尔在晶圆代工领域正面决斗,英特尔在8月宣告跟设计手机、汽车芯片的安谋(ARMHoldings)定案代工协议,看起来迈进一大步,但分析人士指出,英特尔整体晶圆代工能力仍领先台积电一年之幸,短期内无法对台积电导致实质威胁。  美系外资公开发表研究报告认为,台积电在技术、处置ARM制程的能力、晶圆生产能力、成本结构、生产弹性、资产负债表和整体价值方面,都比英特尔远比强势。虽然英特尔微处理器的科技、制程都更佳,但晶圆代工能力却领先微处理器生产技术最少两年,因此大约比台积电晚了一年左右。

也就是说,英特尔短期内无法对台积电产生实质威胁。  互为较之下,台积电的10纳米、7纳米制程技术虽领先英特尔,但台积电比英特尔提早1-2年迈入7纳米制程,可借以延长两家公司的差距。

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台积电在独家PCB技术整合型扇出型PCB(integratedfan-out,InFO)的帮助下,未来将会在2017年、2018年抢走10纳米和7纳米晶圆代工市场。  最新消息表明,台积电内部预估,7纳米最慢清(2017)年4月就可开始拒绝接受客户下单。  台积电研发单位已在内部会议中,揭发未来几年的近期研发蓝图,根据几名资深高层的众说纷纭,该公司今年底就不会切换至10纳米,7纳米则不会在明年试产、估算明年4月就可接单,而16纳米FinFETcompact制程(FFC,比16FF+更加仪器)也将在今年引入。

7纳米制程可大幅度提高省电效能(时脉大约3.8Ghz、核心电压(vcore)约1V),临界电压(thresholdvoltage)低于平均0.4V,限于温度大约为150度。  报导称之为,跟16FF+相比,10纳米FinFET制程可让芯片尺寸增大50%、运算效能拉高50%、耗电量减少40%。互为较之下,7纳米(采行的应当是FinFET制程)的运算效能不能拉高15%、耗电量减少35%,电晶体密度减少163%,提高幅度颇高10纳米。这是因为,台积电的10纳米FinFET制程约等同于英特尔的14纳米,7纳米制程则大体跟英特尔的10纳米非常、甚至较逊。

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  有报导称之为,台积电高层在本周的SEMICONTaiwan国际半导体展览回应,7纳米制程未来将会在2018年Q1放量生产。台积电从2014年初开始投放7纳米制程研究,预计2017年上半转入风险生产(RiskProduction),再行过一年后量产,配备7纳米芯片的消费产品不应可同时上市。


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